cząsteczka wieloatomowa (ang. polyatomic molecule)
cząsteczka zawierająca więcej niż dwa atomy
czynnik Fermiego (ang. Fermi factor)
liczba wyrażająca prawdopodobieństwo, że stan o danej energii jest obsadzony
domieszka akceptorowa (ang. acceptor impurity)
atom podstawiony za atom macierzysty w półprzewodniku, co skutkuje pojawieniem się swobodnej dziury elektronowej
domieszka donorowa (ang. donor impurity)
atom podstawiony za atom macierzysty półprzewodnika, co skutkuje pojawieniem się swobodnego elektronu
domieszkowanie (ang. doping)
zmiana w materiale półprzewodnika polegająca na zastąpieniu jednego typu atomu innym
dziura (ang. hole)
nieobsadzony stan w paśmie energetycznym
elektryczne przejście dipolowe (ang. electric dipole transition)
przejście między stanami energetycznymi spowodowane absorpcją lub emisją promieniowania
energia dysocjacji (ang. dissociation energy)
ilość energii potrzebna, aby rozdzielić cząsteczkę na atomy; także całkowita enegia na parę jonów potrzebna, aby rozdzielić kryształ na izolowane jony
energia Fermiego (ang. Fermi energy)
największa energia stanu obsadzonego przez elektron w metalu w
gęstość stanów (ang. density of states)
liczba dozwolonych stanów kwantowych na jednostkę energii
hybrydyzacja (ang. hybridization)
zmiana w strukturze energetycznej atomu, przy której energetycznie preferowane superpozycje stanów biorą udział w wiązaniu
koncentracja elektronów (ang. electron number density)
liczba elektronów na jednostkę objętości
krytyczne pole magnetyczne (ang. critical magnetic field)
maksymalne pole magnetyczne, przy którym występuje jeszcze nadprzewodnictwo
kubiczna powierzchniowo centrowana (FCC) (ang. face-centered cubic)
struktura kryształu, w której jon otoczony jest przez czterech najbliższych sąsiadów znajdujących się na ścianach sześciennej komórki elementarnej
kubiczna prosta (ang. simple cubic)
podstawowa struktura kryształu, w której jony znajdują się w węzłach sześciennej sieci
kubiczna przestrzennie centrowana (BCC) (ang. body-centered cubic)
struktura kryształu, w której jon otoczony jest przez ośmiu najbliższych sąsiadów ulokowanych w narożnikach sześciennej komórki elementarnej
model elektronów swobodnych (ang. free electron model)
model metalu, w ramach którego elektrony traktowane są jak gaz
nadprzewodnik typu I (ang. type I superconductor)
materiał nadprzewodzący, taki jak aluminium czy rtęć
nadprzewodnik typu II (ang. type II superconductor)
nadprzewodzący związek lub stop zawierający takie pierwiastki jak metale przejściowe czy aktynowce
napięcie przebicia (ang. breakdown voltage)
napięcie w kierunku zaporowym diody, przy którym powstaje prąd lawinowy
nośnik mniejszościowy (ang. minority carriers)
swobodny elektron (lub dziura) wzbudzony termicznie przez przerwę energetyczną
nośnik większościowy (ang. majority carriers)
swobodny elektron (lub dziura) pochodzący od atomu domieszki
obszar zubożony (ang. depletion layer)
obszar obejmujący złącze p–n, w którym występuje pole elektryczne
odległość równowagowa (ang. equilibrium separation distance)
odległość między atomami w cząsteczce
para Coopera (ang. Cooper pair)
para związanych elektronów w nadprzewodniku
pasmo energetyczne (ang. energy band)
pasmo energii, w którym energie elektronowych poziomów energetycznych zmieniają się w sposób niemal ciągły
pasmo przewodnictwa (ang. conduction band)
kolejne pasmo energetyczne powyżej pasma walencyjnego w strukturze energetycznej kryształu
pasmo walencyjne (ang. valence band)
najwyższe całkowicie zapełnione pasmo energetyczne w krysztale
polaryzacja w kierunku przewodzenia (ang. forward bias configuration)
polaryzacja diody, przy której płynie duży prąd
polaryzacja w kierunku zaporowym (ang. reverse bias configuration)
polaryzacja diody, przy której płynie mały prąd
powinowactwo elektronowe (ang. electron affinity)
energia związana z przyłączeniem elektronu
poziom domieszkowy (ang. impurity band)
poziom energetyczny powstały na skutek domieszkowania półprzewodnika
półprzewodnik (ang. semiconductor)
materiał o stosunkowo niewielkiej przerwie energetycznej pomiędzy najwyższym zapełnionym pasmem a kolejnym dostępnym niezapełnionym pasmem energetycznym
półprzewodnik typu n (ang. n-type semiconductor)
domieszkowany półprzewodnik, w którym głównie elektrony przewodzą prąd
półprzewodnik typu p (ang. p-type semiconductor)
domieszkowany półprzewodnik, w którym głównie dziury przewodzą prąd
prąd bazy (ang. base current)
prąd płynący w obwodzie bazy tranzystora
prąd kolektora (ang. collector current)
prąd płynący w obwodzie kolektora tranzystora
prędkość unoszenia (ang. drift velocity)
średnia prędkość uporządkowanego przemieszczania się cząstki, która porusza się losowo
przerwa energetyczna (ang. energy gap)
przerwa między pasmami energetycznymi w ciele stałym
reguła wyboru (ang. selection rule)
reguła, która ogranicza możliwe przejścia między jednym stanem kwantowym a drugim
rotacyjne poziomy energetyczne (ang. rotational energy levels)
poziomy energetyczne związane z energią ruchu obrotowego cząsteczki